MOS管导通特性

1、导通的意思是做为开关，等同于开关合闭。

2、NMOS的特性，Vgs超过一定的值就会导通，适用源极接地装置的状况(中低端驱动)，要是栅极电压做到4V或10V就可以了。

3、PMOS的特性，Vgs低于一定的值就会导通，适用源极接Vcc的状况(高档驱动)。可是，尽管PMOS能够很便捷的作为高档驱动，但因为导通电阻器大，价钱贵，更换类型少等缘故，在高档驱动中，一般還是用NMOS。

 

MOS开关管损害

1、导通耗损指整流管从截止到导通时,所造成的输出功率耗损。无论是NMOS還是PMOS，导通后都是有导通电阻器存有，那样点电流量就会在这个电阻器上耗费动能，这些耗费的动能称为导通耗损。挑选导通电阻器小的MOS管会减少导通耗损，如今的小输出功率MOS管导通电阻器一般在几十毫伏上下。

2、MOS在导通和截至的情况下，一定并不是在一瞬间进行的。MOS两边的电压有一个降低的全过程，穿过的电流量有一个升高的全过程，在这段时间内，MOS管的损害时电压和电流量的相乘，称为开关损害。一般开关损害比导通损害大很多，并且开关頻率越快，损害也越大。

3、导通一瞬间电压和电流量的相乘非常大，导致的损害也非常大。减少开关時间，能够减少每一次导通时的损害，减少开关頻率，能够减少单位时间内的开关频次。这二种方法都能够减少开关损害。

4、软开关技术性，该电源电路是在全桥整流电路中添加电容器和二极管。二极管在开关管导通时起钳位功效, 并组成泻放控制回路, 泻放电流量。电容器在反激电压功效下, 电容器被电池充电, 电压不可以忽然提升, 当电压较为大的時候, 电流量早已为0。那样能够使开关耗损不大。

 

 

 

MOS管驱动

1、跟双旋光性晶体三极管对比，一般觉得使MOS管导通不用电流量，要是GS电压高过一定的值，就可以了

2、在MOS管的构造中能够见到，在GS、GD中间存有寄生电容，而MOS管的驱动，事实上便是对电容器的蓄电池充电。对电容器的电池充电必须一个电流量，由于电容器电池充电一瞬间能够把电容器当做短路故障，因此 一瞬间电流量会较为大。挑选/设计方案MOS管驱动时要留意的是可出示一瞬间短路容量的尺寸。

3、广泛用以高档驱动的NMOS，导通时必须是栅极电压超过源极电压。而高档驱动的MOS管导通时源极电压和漏极电压(Vcc)同样，因此 它是栅极电压要比Vcc大4V或10V。假如在同一个系统软件里，要获得比Vcc大的电压，就需要专业的升压电路了。许多 电机驱动器都集成化了电荷泵，要留意的是应当挑选适合的外置电容器，以获得充足的短路容量去驱动MOS管。

4、上面说的4V或10V是常见的MOS管的导通电压，设计方案时自然必须有一定的容量。并且电压越高，导通速率越快，导通电阻器也越小。如今也是有导通电压更小的MOS有用在不一样的行业，但在12V轿车电子控制系统里，一般4V导通就足够了。

 

 

MOS管运用电源电路

MOS管最明显的特性是开关特性好，因此 被广泛运用于必须电子器件开关的电源电路中，普遍的如开关开关电源和电机驱动电源电路，也是有照明灯具变光。如今的MOS驱动，几个尤其的要求：

 

1. 底压运用

当应用9V开关电源，此刻假如应用传统式的图腾柱构造，因为三极管的be仅有0.7V上下的损耗，造成 具体最后载入gate上的电压仅有4.3V，此刻，大家采用允差gate电压4.9V的MOS管就存有一定的风险性。一样的难题也产生在应用3V或是别的底压开关电源的场所。

 

2. 宽电压运用

键入电压并并不是一个数值，它会伴随着時间或是别的要素而变化。这一变化造成 PWM电路出示给MOS管的驱动电压不是平稳的。为了更好地让MOS管在高gate电压下安全性，许多 MOS管内嵌了稳压极管强制限定gate电压的幅度值。在这类状况下，当出示的驱动电压超出稳压极管的电压，就会造成很大的静态数据功能损耗。另外，假如简易的用电阻分压的基本原理减少gate电压，就会出現键入电压较为高的情况下，MOS管工作中优良，而键入电压减少的情况下gate电压不够，造成导通不足完全，进而提升功能损耗。

 

3、在电源模块中，常见的是开关电源IC立即驱动MOS管。应用中，应当留意较大 驱动最高值电流量、MOS管的寄生电容2个主要参数。这儿，开关电源IC的驱动工作能力、MOS寄生电容尺寸、驱动电阻器电阻值都将危害MOS管开关速率。假如挑选MOS管寄生电容较为大，开关电源IC內部的驱动工作能力又不够时，必须在驱动电源电路上提高驱动工作能力，常应用图腾柱电源电路提升开关电源IC驱动工作能力。现阶段，各式各样的MOS管驱动电源电路并沒有一种驱动电源电路是最好是的，必须客户依据实际运用，融合MOS管生产商出示的使用手册，持续对电源电路及主要参数开展提升，才可以打磨抛光出最好自身运用的驱动计划方案来。